Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
у знайденому
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (7)Автореферати дисертацій (2)Реферативна база даних (42)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Корж Р$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 44
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Корж Р. О. 
Формалізація процесу формування інформаційного образу ВНЗ в соціальних середовищах Інтернету [Електронний ресурс] / Р. О. Корж, А. М. Пелещишин // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2013. - № 5(3). - С. 4-8. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2013_5(3)__2
Проаналізовано особливості інформаційного образу вищого навчального закладу (ВНЗ) у соціальних середовищах Інтернету. Запропоновано формальний опис багатоетапного некерованого процесу формування інформаційного образу ВНЗ у соціальних середовищах. Визначено основні підходи до керування процесом з боку ВНЗ з метою покращання інформаційного образу ВНЗ та уникнення інформаційних загроз.
Попередній перегляд:   Завантажити - 206.513 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Плещишин А. М. 
Формування віртуального інформаційного образу геопросторових об'єктів [Електронний ресурс] / А. М. Плещишин, Р. О. Корж, І. О. Хміль // Управління розвитком складних систем. - 2013. - Вип. 16. - С. 56-58. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Urss_2013_16_13
Попередній перегляд:   Завантажити - 131.268 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Пелещишин А. М. 
Визначення комплексу показників віртуальної спільноти для вищих навчальних закладів [Електронний ресурс] / А. М. Пелещишин, Р. О. Корж, О. Р. Трач // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2014. - № 2(2). - С. 16-23. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2014_2(2)__4
Визначено комплекс показників віртуальної спільноти для вищих навальних закладів, а саме: технологічні, кількісні, соціальної релевантності, комунікативної цінності, комунікативної складності та тематичної релевантності. Розглянуто та проаналізовано соціально-демографічні характеристики, показники обсягів та інтенсивності, технологічні показники та комунікативні характеристики віртуальних спільнот, які є основою для визначення показників.
Попередній перегляд:   Завантажити - 193.742 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Корж Р. О. 
Удосконалення електромагнітно-акустичних методів технічної діагностики [Електронний ресурс] / Р. О. Корж, Я. Г. Притуляк, С. В. Фестрига // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Комп’ютерні системи та мережі. - 2013. - № 773. - С. 64-67. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VNULPKSM_2013_773_13
Розглянуто питання підвищення безаварійної безпечної діяльності роботи економічно небезпечних технічних об'єктів, таких як атомні електричні станції. Зазначено, що потреба в нових і модернізованих методах технічної діагностики, які б відбирали максимальну кількість інформації про стан об'єкта, є дуже актуальною. Запропоновано новий метод, в якому використовується ультразвуковий перетворювач електромагнітного типу гармонічних. Подальше збільшення кількості відбору інформації з об'єкта досягається за допомогою використання в первинних перетворювачах методу електричного сканування з азимутальною неоднорідністю. Збільшення реальної чутливості вимірювань відбувається за рахунок використання акустичного розмірного резонансу, а застосування збудження електромагнітного поля за допомогою азимутальної неоднорідності з n-гармонік уможливлює сконцентрувати на невеликій площі сумарну потужність відповідних гармонік. Використання у первинному перетворювачі методу електричного сканування з обертовою азимутальною неоднорідністю надає змогу одержати томографічний експеримент, а це означає, що будь-яка неоднорідність буде виявлена з імовірністю, близькою до одиниці.
Попередній перегляд:   Завантажити - 159.929 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Ромака В. В. 
Дослідження напівпровідникового твердого розчину HfNiSn1-xSbx І. Кристалічна та електронна структури [Електронний ресурс] / В. В. Ромака, Ю. Стадник, Л. Ромака, Р. Корж, В. Крайовський // Вісник Львівського університету. Сер. : Хімічна. - 2014. - Вип. 55(1). - С. 142–148. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vlnu_kh_2014_55(1)__20
Досліджено особливості температурних і концентраційних характеристик питомого електроопору та коефіцієнта термоерс напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb у діапазонах температур і концентрацій: T = 4,2 - 400 K і Ti NTiA = 9,5 x 1019 - 3,6 x 1021 см-3 (x = 0,005 - 0,20). Встановлено існування невідомого раніше механізму генерування структурних дефектів донорної природи, які визначають провідність n-VFeSb і V1-xTixFeSb. Підтверджено акцепторну природу структурних дефектів, генерованих у V1-xTixFeSb, за заміщення V атомами Ti.Досліджено особливості кристалічної та електронної структур напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb, x = 0 - 0,20. Описано механізм генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Зокрема, встановлено природу донорів у n-VFeSb ("апріорне легування") як результат наявності вакансій у позиції атомів Sb (4b). Одержаний результат лежить в основі технології одержання нових термоелектричних матеріалів на основі n-VFeSb з максимальною ефективністю перетворення теплової енергії в електричну.Досліджено кристалічну та електронну структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xBix у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,10. Проаналізовано можливі механізми провідності напівпровідника та спрогнозовано умови одержання максимальних значень коефіцієнта термоелектричної потужності Z*.Досліджено вплив акцепторної домішки Rh на кристалічну й електронну структури інтерметалічного напівпровідника n-HfNiSn у діапазонах концентрації домішки <$E N sub A sup Rh~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 (x = 0,005) - <$E 1,9~cdot~10 sup 21> см<^>-3 (x = 0,10). Визначено механізми дефектоутворення нелегованого напівпровідника n-HfNiSn і сильно легованого атомами Rh. Вивчено вплив домішки на зміну енергетичних станів HfNi1-xRhxSn.Досліджено кристалічну й електронну структури та магнітні властивості напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xCoxSn у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,40. Проаналізовано можливі механізми електропровідності HfNi1-xCoxSn за різних концентрацій і температур.
Попередній перегляд:   Завантажити - 404.026 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Ромака В. А. 
Дослідження напівпровідникового твердого розчину HfNiSn1-xSbx. II. Електрокінетичні та енергетичні характеристики [Електронний ресурс] / В. А. Ромака, А. Горинь, Д. Фрушарт, Р. Корж, В. Я. Крайовський, О. Лах // Вісник Львівського університету. Сер. : Хімічна. - 2014. - Вип. 55(1). - С. 155–160. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vlnu_kh_2014_55(1)__22
Досліджено особливості температурних і концентраційних характеристик питомого електроопору та коефіцієнта термоерс напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb у діапазонах температур і концентрацій: T = 4,2 - 400 K і Ti NTiA = 9,5 x 1019 - 3,6 x 1021 см-3 (x = 0,005 - 0,20). Встановлено існування невідомого раніше механізму генерування структурних дефектів донорної природи, які визначають провідність n-VFeSb і V1-xTixFeSb. Підтверджено акцепторну природу структурних дефектів, генерованих у V1-xTixFeSb, за заміщення V атомами Ti.Досліджено особливості кристалічної та електронної структур напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb, x = 0 - 0,20. Описано механізм генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Зокрема, встановлено природу донорів у n-VFeSb ("апріорне легування") як результат наявності вакансій у позиції атомів Sb (4b). Одержаний результат лежить в основі технології одержання нових термоелектричних матеріалів на основі n-VFeSb з максимальною ефективністю перетворення теплової енергії в електричну.Досліджено кристалічну та електронну структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xBix у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,10. Проаналізовано можливі механізми провідності напівпровідника та спрогнозовано умови одержання максимальних значень коефіцієнта термоелектричної потужності Z*.Досліджено вплив акцепторної домішки Rh на кристалічну й електронну структури інтерметалічного напівпровідника n-HfNiSn у діапазонах концентрації домішки <$E N sub A sup Rh~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 (x = 0,005) - <$E 1,9~cdot~10 sup 21> см<^>-3 (x = 0,10). Визначено механізми дефектоутворення нелегованого напівпровідника n-HfNiSn і сильно легованого атомами Rh. Вивчено вплив домішки на зміну енергетичних станів HfNi1-xRhxSn.Досліджено кристалічну й електронну структури та магнітні властивості напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xCoxSn у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,40. Проаналізовано можливі механізми електропровідності HfNi1-xCoxSn за різних концентрацій і температур.
Попередній перегляд:   Завантажити - 356.585 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Ромака В. 
Прогнозування характеристик термометричного матеріалу Hf1-x Lux NiSn [Електронний ресурс] / В. Ромака, Ю. Стадник, В. Ромака, Р. Корж, В. Крайовський // Вимірювальна техніка та метрологія . - 2014. - Вип. 75. - С. 85-88. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/metrolog_2014_75_19
Проведено розрахунок електронної структури та кінетичних характеристик термометричного матеріалу Hf1-xLuxNiSn у діапазонах: <$E T~=~80~symbol Ш~400> K, <$E N sub A sup Lu~symbol Ы~1,9~cdot~10 sup 20> см<^>-3 <$E (x~=~0,01)~symbol Ш~1,9~cdot~10 sup 21> см<^>-3 (x = 0,10). Показано, що характеристики матеріалу Hf1-xLuxNiSn є чутливими до зміни температури і він може бути основою для виготовлення чутливих елементів термоперетворювачів.
Попередній перегляд:   Завантажити - 598.961 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
8.

Ромака В. 
Дослідження термометричного матеріалу Ті1-xYxNiSn [Електронний ресурс] / В. Ромака, Ю. Стадник, Р. Корж, Л. Ромака, В. Крайовський // Вимірювальна техніка та метрологія . - 2014. - Вип. 75. - С. 88-91. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/metrolog_2014_75_20
Попередній перегляд:   Завантажити - 483.536 Kb    Зміст випуску     Цитування
9.

Марковець О. В. 
Исследование средств коммуникации пользователей сети интернет с органами местной власти [Електронний ресурс] / О. В. Марковець, Р. О. Корж, У. Б. Ярка // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2013. - № 3(9). - С. 38-41. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2013_3(9)__9
Попередній перегляд:   Завантажити - 126.439 Kb    Зміст випуску     Цитування
10.

Пелещишин А. 
Формування моделі каталогу генераторів інформаційного образу ВНЗ [Електронний ресурс] / А. Пелещишин, Р. Корж // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Комп’ютерні науки та інформаційні технології. - 2014. - № 800. - С. 185-193. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VNULPKNIT_2014_800_27
Введено поняття коректно визначеного генератора, побудовано формальну теоретико-множинну модель генератора, запропоновано формалізацію структури віртуальної спільноти як середовища інформаційної діяльності ВНЗ.
Попередній перегляд:   Завантажити - 266.865 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
11.

Корж Р. А. 
Разработка математической модели музыкальных сигналов [Електронний ресурс] / Р. А. Корж // Качество минерального сырья. - 2014. - 2014. - С. 328-334. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/kachmin_2014_2014_47
Попередній перегляд:   Завантажити - 134.893 Kb    Зміст випуску     Цитування
12.

Пелещишин А. 
Визначення рекомендацій щодо інформаційного впливу на структуру віртуальної спільноти [Електронний ресурс] / А. Пелещишин, Р. Корж, Р. Гумінський // Безпека інформації. - 2014. - Т. 20, № 3. - С. 264-273. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/bezin_2014_20_3_11
Віртуальні спільноти в соціальних мережах все частіше використовуються задля різних інформаційних протиборств, а саме: передвиборних перегонів, просування товарів чи послуг у конкурентному середовищі, впливів на масову свідомість для зміни поведінки людей і нав'язування їм цілей, які не відповідають їх інтересам та пов'язані з інформаційними загрозами особистості, суспільству, державі. Одним із основних методів інформаційного протиборства серед віртуальних спільнот та протидії інформаційним загрозам у цих спільнотах є інформаційний вплив здійснюваний з метою інформаційного управління. Водночас виникає необхідність в раціональному виборі елементів віртуальної спільноти для інформаційного впливу задля набуття інформаційної переваги. Сформульовано задачу та розроблено алгоритм вибору мінімальної кількості дискусій віртуальної спільноти для інформаційного впливу, щоб зменшити показник інформаційної загрози до порогового значення, використовуючи алгоритми теорії графів. Зменшення показника інформаційної загрози досягається за рахунок руйнування структури внутрішнього інформаційного середовища, а не зменшення кількості дискусій (кількості учасників віртуальної спільноти), що забезпечує зменшення кількості ресурсів, задіяних для інформаційного впливу на дискусії (елементи) віртуальної спільноти.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.229 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
13.

Пелещишин А. М. 
Формування структури соціально-інформаційних інтерфейсів як вирішення задачі про призначення відповідальності [Електронний ресурс] / А. М. Пелещишин, Р. О. Корж // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2015. - № 1(2). - С. 17-23. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2015_1(2)__4
Визначено поняття соціально-інформаційного інтерфейсу. Виділено стратегії інформаційної діяльності вищого навчального закладу в соціальних середовищах Інтернету. Визначено показник важливості для генератора інформаційного образу. Сформовано задачу про призначення відповідальності підрозділів за генератори та визначено прогнозовану ефективность інформаційної діяльності підрозділу у генераторі.
Попередній перегляд:   Завантажити - 267.369 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
14.

Корж Р. В. 
Результативність діяльності харчових підприємств України [Електронний ресурс] / Р. В. Корж // Бізнес Інформ. - 2013. - № 8. - С. 192-198. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/binf_2013_8_34
Надано результати оцінювання результативності діяльності підприємств харчової промисловості. Логіка оцінювання наведена у фінансовій проекції та охоплює такі змістовні аспекти: структуру капіталу, прибутковість і ділову активність. Структуру капіталу харчових підприємств оцінено з позицій фінансового ризику, який визначений ступенем залежності від зовнішніх інвесторів і кредиторів і рівнем забезпеченості запасів власними оборотними коштами. Зроблено висновок про високий рівень фінансового ризику, який був характерний для підприємств харчової промисловості протягом 2007 - 2011 рр. та обумовлений зменшенням частки довгострокових джерел у структурі фінансування активів. Позитивною характеристикою структури капіталу досліджуваних підприємств є порівняно невисоке значення середньозваженої вартості їх капіталу. Однак, незважаючи на це, функціонуючий капітал харчових підприємств забезпечує прибутковість активів меншу, ніж витрати на капітал, що обумовлює руйнування фундаментальної вартості підприємств протягом досліджуваного періоду. Основні фактори, що негативно впливали на зміну рівня економічної рентабельності харчових підприємств: зменшення рентабельності реалізації продукції, погіршення ліквідності та уповільнення оборотності дебіторської заборгованості. Аналіз ділової активності дозволив зробити висновки щодо екстенсивного розвитку техніко-технологічної бази харчових підприємств і зменшення їх інноваційної активності.
Попередній перегляд:   Завантажити - 439.883 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
15.

Ромака В. А. 
Особливості структурних, енергетичних та кінетичних характеристик твердого розчину HfNi1-xRuxSn [Електронний ресурс] / В. А. Ромака, П. Рогль, Ю. В. Стадник, Л. П. Ромака, Д. Качаровський, Р. О. Корж, В. Я. Крайовський, О. І. Лах // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 2. - С. 325-330. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_2_19
Досліджено особливості кристалічної та електронної структур, кінетичні та енергетичні характеристики напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xRuxSn у діапазонах: <$E T~=~80~symbol Ш~400> K, <$E roman {N sub A sup Ru}~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 <$E (x~=~0,005)~symbol Ш~5,7~cdot~10 sup 20> см<^>-3 (x = 0,03). Встановлено природу механізму одночасного генерування структурних дефектів донорної та акцепторної природи, що призводить до зміни ширини забороненої зони, ступеня компенсації напівпровідника та визначає його властивості.Досліджено кристалічну та електронну структури, температурні і концентраційні залежності питомого електроопору та коефіцієнта термоерс термоелектричного матеріалу VFe1-xTixSb у діапазонах: T = 4,2 - 400 K і <$E N sub A sup Ti ~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 (х = 0,005) - <$E 3,9~cdot~10 sup 21> см<^>-3 (х = 0,15). Виявлено механізми одночасного генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи, які змінюють ступінь компенсації напівпровідникового матеріалу і визначають механізми електропровідності.Досліджено особливості структурних, енергетичних, термодинамічних і кінетичних характеристик твердого розчину Hf1-xErxNiSn у діапазоні: T = 80 - 400 K, х = 0 - 0,10. Підтверджено невпорядкованість кристалічної структури сполуки HfNiSn як результат зайняття атомами Ni (3d<^>84s<^>2) до ~ 1 % кристалографічної позиції 4a атомів Hf (5d<^>26s<^>2), що генерує у кристалі структурні дефекти донорної природи. Показано, що введення атомів Er упорядковує кристалічну структуру ("заліковує" структурні дефекти). Виявлено механізми одночасного генерування структурних дефектів як акцепторної природи у випадку заміщення атомів Hf (5d<^>26s<^>2) атомами Er (4f<^>125d<^>06s<^>2), так і донорної як результат появи вакансій у позиції атомів Sn (4b), які визначають механізми електропровідності Hf1-xErxNiSn.Досліджено кристалічну й електронну структури, температурні та концентраційні залежності питомого опору та коефіцієнта термоерс TiNiSn1-xGax у діапазоні: T = 80 - 400 К, x = 0,02 - 0,15. Показано, що легування n-TiNiSn домішкою Ca приводить до генерування у кристалі як структурних дефектів акцепторної природи у разі зайняття атомами Ca позиції 4b атомів Sn, так і донорної природи у вигляді вакансій у позиції атомів Sn. Встановлено механізми електропровідності термоелектричного матеріалу TiNiSn1-xGax.
Попередній перегляд:   Завантажити - 730.562 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
16.

Ромака В. В. 
Структура, енергетичні та кінетичні характеристики твердого розчину Zr1+xCo1-xSb [Електронний ресурс] / В. В. Ромака, П. Рогль, Л. П. Ромака, Р. О. Корж, Ю. В. Стадник, В. Я. Крайовський, А. М. Горинь, О. І. Лах // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 3. - С. 563-568. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_3_20
Досліджено особливості кристалічної та електронної структур, кінетичні та енергетичні характеристики напівпровідникового твердого розчину Zr1+xCo1-xSb у діапазоні T = 80 - 400 K. Встановлено природу механізму одночасного генерування структурних дефектів донорної та акцепторної природи, що призводить до зміни ширини забороненої зони, ступеню компенсації напівпровідника та визначає його властивості.
Попередній перегляд:   Завантажити - 623.766 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
17.

Ромака В. А. 
Дослідження напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb. I. Особливості електрокінетичних характеристик [Електронний ресурс] / В. А. Ромака, П. Рогль, Ю. В. Стадник, Л. П. Ромака, Р. О. Корж, Д. Качаровський, В.Я. Крайовський, А. М. Горинь // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16, № 1. - С. 111-114. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2015_16_1_19
Досліджено особливості температурних і концентраційних характеристик питомого електроопору та коефіцієнта термоерс напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb у діапазонах температур і концентрацій: T = 4,2 - 400 K і Ti NTiA = 9,5 x 1019 - 3,6 x 1021 см-3 (x = 0,005 - 0,20). Встановлено існування невідомого раніше механізму генерування структурних дефектів донорної природи, які визначають провідність n-VFeSb і V1-xTixFeSb. Підтверджено акцепторну природу структурних дефектів, генерованих у V1-xTixFeSb, за заміщення V атомами Ti.Досліджено особливості кристалічної та електронної структур напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb, x = 0 - 0,20. Описано механізм генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Зокрема, встановлено природу донорів у n-VFeSb ("апріорне легування") як результат наявності вакансій у позиції атомів Sb (4b). Одержаний результат лежить в основі технології одержання нових термоелектричних матеріалів на основі n-VFeSb з максимальною ефективністю перетворення теплової енергії в електричну.Досліджено кристалічну та електронну структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xBix у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,10. Проаналізовано можливі механізми провідності напівпровідника та спрогнозовано умови одержання максимальних значень коефіцієнта термоелектричної потужності Z*.Досліджено вплив акцепторної домішки Rh на кристалічну й електронну структури інтерметалічного напівпровідника n-HfNiSn у діапазонах концентрації домішки <$E N sub A sup Rh~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 (x = 0,005) - <$E 1,9~cdot~10 sup 21> см<^>-3 (x = 0,10). Визначено механізми дефектоутворення нелегованого напівпровідника n-HfNiSn і сильно легованого атомами Rh. Вивчено вплив домішки на зміну енергетичних станів HfNi1-xRhxSn.Досліджено кристалічну й електронну структури та магнітні властивості напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xCoxSn у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,40. Проаналізовано можливі механізми електропровідності HfNi1-xCoxSn за різних концентрацій і температур.
Попередній перегляд:   Завантажити - 580.38 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
18.

Пелещишин А. М. 
Базові характеристики та модель підрозділів ВНЗ як суб’єкта інформаційної діяльності [Електронний ресурс] / А. М. Пелещишин, Р. О. Корж // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2015. - № 2(2). - С. 27-34. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2015_2(2)__6
Визначено стадії опрацювання інформації, яка надходить в генератор інформаційного наповнення, що формує інформаційний образ вищого навчального закладу (ВНЗ). Визначено та описано групи спеціальних характеристик підрозділів, що є базовими, важливими та первинними даними про підрозділи у контексті організації інформаційної діяльності ВНЗ.
Попередній перегляд:   Завантажити - 317.93 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
19.

Ромака В. В. 
Дослідження напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xCoxSn. I. Кристалічна та електронна структури [Електронний ресурс] / В. В. Ромака, Ю. Стадник, Л. Ромака, В. Крайовський, Р. Корж, Т. Ковбасюк // Вісник Львівського університету. Серія хімічна. - 2015. - Вип. 56(1). - С. 115-121. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vlnu_kh_2015_56(1)__18
Досліджено особливості температурних і концентраційних характеристик питомого електроопору та коефіцієнта термоерс напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb у діапазонах температур і концентрацій: T = 4,2 - 400 K і Ti NTiA = 9,5 x 1019 - 3,6 x 1021 см-3 (x = 0,005 - 0,20). Встановлено існування невідомого раніше механізму генерування структурних дефектів донорної природи, які визначають провідність n-VFeSb і V1-xTixFeSb. Підтверджено акцепторну природу структурних дефектів, генерованих у V1-xTixFeSb, за заміщення V атомами Ti.Досліджено особливості кристалічної та електронної структур напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb, x = 0 - 0,20. Описано механізм генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Зокрема, встановлено природу донорів у n-VFeSb ("апріорне легування") як результат наявності вакансій у позиції атомів Sb (4b). Одержаний результат лежить в основі технології одержання нових термоелектричних матеріалів на основі n-VFeSb з максимальною ефективністю перетворення теплової енергії в електричну.Досліджено кристалічну та електронну структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xBix у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,10. Проаналізовано можливі механізми провідності напівпровідника та спрогнозовано умови одержання максимальних значень коефіцієнта термоелектричної потужності Z*.Досліджено вплив акцепторної домішки Rh на кристалічну й електронну структури інтерметалічного напівпровідника n-HfNiSn у діапазонах концентрації домішки <$E N sub A sup Rh~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 (x = 0,005) - <$E 1,9~cdot~10 sup 21> см<^>-3 (x = 0,10). Визначено механізми дефектоутворення нелегованого напівпровідника n-HfNiSn і сильно легованого атомами Rh. Вивчено вплив домішки на зміну енергетичних станів HfNi1-xRhxSn.Досліджено кристалічну й електронну структури та магнітні властивості напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xCoxSn у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,40. Проаналізовано можливі механізми електропровідності HfNi1-xCoxSn за різних концентрацій і температур.
Попередній перегляд:   Завантажити - 429.228 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
20.

Горинь А. 
Дослідження напівпровідникового твердого розчину HfNi1 xCoxSn. II. Електрокінетичні та енергетичні властивості [Електронний ресурс] / А. Горинь, В. А. Ромака, В. Я. Крайовський, В. В. Ромака, Р. Корж, О. Лах, І. Наконечний // Вісник Львівського університету. Серія хімічна. - 2015. - Вип. 56(1). - С. 131-137. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vlnu_kh_2015_56(1)__20
Досліджено температурні та концентраційні залежності електрокінетичних та енергетичних характеристик напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xCoxSn у діапазонах концентрацій та температур: x = 0 - 0,30 та Т = 80 - 380 K. Визначено основні механізми електропровідності, які узгоджуються з результатами розрахунку електронної структури НfNi1-xCoxSn.
Попередній перегляд:   Завантажити - 539.35 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
...
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського